청주 M15X 2026년 3분기 본격 양산

SK하이닉스, 생산거점 투자 계획 발표
"M15와 인접… HBM 생산 효율 극대화"

(왼쪽부터)류병훈 부사장, 최우진 부사장, 김영식 부사장, 김주선 사장, 곽노정 대표이사 사장, 안현 부사장, 김우현 부사장, 김종환 부사장.

［충북일보］ SK하이닉스가 충북 청주에 건설 중인 신규 팹(Fab) M15X는 오는 2026년 3분기부터 본격 양산에 들어갈 전망이다.

SK하이닉스는 2일 경기도 이천 본사에서 '인공지능(AI) 시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 한 내외신 기자간담회를 열고 인공지능(AI) 메모리 기술력·시장 현황, 청주·용인·미국 등 미래 주요 생산거점 관련 투자 계획을 밝혔다.

용인 클러스터 첫 팹 준공(2027년 5월)을 3년 앞두고 열린 이날 기자간담회는 곽노정 대표이사 사장과 함께 김주선 사장(AI Infra 담당), 김종환 부사장(D램개발 담당), 안현 부사장(N-S Committee 담당), 김영식 부사장(제조/기술 담당), 최우진 부사장(P&T 담당), 류병훈 부사장(미래전략 담당), 김우현 부사장(CFO) 등 주요 경영진이 참석했다.

이 자리에서 김영식 부사장(제조기술 담당)은 청주 M15X 투자 배경과 계획에 대해 발표했다.

SK하이닉스는 지난달 24일 이사회 결의를 거쳐 청주시에 건설할 신규 팹(Fab) M15X를 D램 생산기지로 결정하고 팹 건설에 약 5조3천억 원을 투자하기로 결정한 바 있다.

김 부사장은 청주 투자와 관련 "급증하는 AI 메모리 수요에 대응하기 위해 용인 반도체 클러스터 첫 팹 가동 전에 생산능력(Capacity·캐파) 확대가 필요했다"며 "이미 부지가 확보돼 있는 청주에 M15X를 건설하기로 한 것"이라고 밝혔다.

이어 "M15X는 연면적 20만8천264㎡(6만3천 평) 규모의 복층 팹으로, EUV를 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정"이라며 "TSV 캐파 확장 중인 M15와 인접해 있어 HBM 생산 효율을 극대화할 수 있다"고 강조했다.

TSV(Through Silicon Via)는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술을 말한다.

김 부사장은 "지난달 M15X 팹 건설 공사에 착수했으며 2025년 11월 준공 후 2026년 3분기부터 본격 양산에 들어갈 계획"이라고 설명했다.

곽노정 대표이사 사장은 "현재 AI는 데이터센터 중심이지만 향후 스마트폰, PC, 자동차 등 온디바이스(On-Device) AI로 빠르게 확산될 전망"이라며 "이에 따라 AI에 특화된 '초고속·고용량·저전력' 메모리 수요가 폭발적으로 증가할 것"이라고 전망했다.

이어 "SK하이닉스는 HBM, TSV 기반 고용량 D램, 고성능 eSSD 등 제품별 업계 최고의 기술 리더십을 확보하고 있다"며 "현재 당사 HBM은 생산 측면에서 보면 올해 이미 솔드아웃(Sold-out, 완판)인데, 내년 역시 거의 솔드아웃됐다"고 말했다.

곽 대표이사 사장은 "HBM 기술 측면에서 시장 리더십을 더욱 확고히 하기 위해 세계 최고 성능 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월에 제공하고, 3분기 양산 가능하도록 준비 중"이라며 "AI 시대, 고객으로부터 가장 신뢰받는 준비된 기업이자 업황 변화에 흔들리지 않는 내실 있는 기업'으로 성장, 국가경제에 기여하고 우리나라가 AI 반도체 강국으로 올라설 수 있도록 앞장서겠다"고 각오를 밝혔다. / 안혜주기자 [e-mail]